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绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？

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第1题

门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管，简称（)。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管，或绝缘栅晶体管，它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。

A.TR

B.MOS

C.IGBT

D.DR

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第2题

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（)电力电子器件。

A.结构复杂

B.复合

C.全控型

D.电压驱动式

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第3题

双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（)

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第4题

绝缘栅双极性晶体管的符号是（)。

A.GTR

B.IGBT

C.SCR

D.MOSFET

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第5题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第6题

晶体管的三种基本接法是()。

A.共发射极

B.共集电极

C.共基极

D.输出信号极

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第7题

当发射结承受反向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第8题

双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。（)

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第9题

双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（)

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第10题

扩散是半导体掺杂的重要方法之一，广泛应用于集成电路中，形成晶体管的基极、发射极、集电极，电阻，MOS工艺中形成源极、漏极、互连引线等。（)

此题为判断题(对，错)。

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