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[判断题]

双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（)

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第1题

当发射结承受反向电压、集电结承受反向电压时，双极型晶体管的工作状态是（)。

A.饱和状态

B.截止状态

C.放大状态

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第2题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第3题

双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（)

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第4题

在发射极开路Ie=0条件下，基集极间加上()时的集电极反向电流就是集—基极的反向饱和电流。

在发射极开路Ie=0条件下，基集极间加上（)时的集电极反向电流就是集—基极的反向饱和电流。

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第5题

实际晶体管等效电路相比本征部分，多出的部分不包括（)。

A.基极电阻

B.发射极和集电极串联电阻

C.发射结和集电结漏导

D.栅极本征电容

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第6题

正常使用时，双极型三极管的发射结加()小电压，收集结加()大电压。

正常使用时，双极型三极管的发射结加（)小电压，收集结加（)大电压。

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第7题

对NPN型三极管的共射极放大电路，如果输出电压波形顶部失真，说明三极管的（)。

A.静态电流IC过大

B.静态电流IC过小

C.发射极电容开路

D.负载电阻太大

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第8题

绝缘栅双极型晶体管是用什么与集电极复合而成？

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第9题

门极绝缘双极晶体管又称绝缘门极晶体管，简称（)。习惯性地称其为绝缘栅双极晶体管，或绝缘栅晶体管，它是一种VMOSFET和双极型晶体管的复合器件。

A.TR

B.MOS

C.IGBT

D.DR

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第10题

晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结()，集电结()。

晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结（)，集电结（)。

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