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[主观题]

试求晶体二极管在室温下(T=300K)的散弹噪声均方值电流.已知IQ=1mA,BWG=1MHz.

试求晶体二极管在室温下(T=300K)的散弹噪声均方值电流.已知IQ=1mA,BWG=1MHz.

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第1题
质量为1g的小球在1cm长的盒内(一维),试计算当它的能量等于在300K下的kT时的量子数n.这一结果说明了什么?k和T分别为玻耳兹曼常数和热力学温度.

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第2题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第3题
设试求f在[0,1]上的上积分与下积分;并由此判断f在[0,1]上是否可积.

设试求f在[0,1]上的上积分与下积分;并由此判断f在[0,1]上是否可积.设试求f在[0,1]上的

试求f在[0,1]上的上积分与下积分;并由此判断f在[0,1]上是否可积.

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第4题
在80%的乙醇溶液中,1-chloro-1-nethylcycloheptane的水解为一级反应。测得不同温度t下列于下表
,求活化能Ea和指前因子A.

在80%的乙醇溶液中,1-chloro-1-nethylcycloheptane的水解为一级反应。测

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第5题
已知信号表示式为式中a>0,试求f(t)的双边拉氏变换,给出收敛域.
已知信号表示式为式中a>0,试求f(t)的双边拉氏变换,给出收敛域.

已知信号表示式为

已知信号表示式为式中a>0,试求f(t)的双边拉氏变换,给出收敛域.已知信号表示式为式中a>0,试求

式中a>0,试求f(t)的双边拉氏变换,给出收敛域.

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第6题
针对一棵前序线索二叉树:(1)仿照中序线家二叉树,定义前序线索二叉树的类结构;(2)编写算法,实
针对一棵前序线索二叉树:(1)仿照中序线家二叉树,定义前序线索二叉树的类结构;(2)编写算法,实

针对一棵前序线索二叉树:

(1)仿照中序线家二叉树,定义前序线索二叉树的类结构;

(2)编写算法,实现二叉树到前序线索二叉树的转换;

(3)编写算法,在以1为根的子树中求指定结点p的父结点;

(4)编写算法,求以t为根的子树的前序下的第一个结点

(5)编写算法,求以t为根的子树的前序下的最后一个结点;

(6)编写算法,求结点t的前序下的后继结点:

(7)编写算法,求结点t的前序下的前驱结点;

(8)编写算法,实现前序线索二叉树的前序遍历.

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第7题
已知一采样系统如图8-5所示,其中采样周期T=1s,试判断k=8时系统的稳定性,并求使系统稳定的k值
范围。

已知一采样系统如图8-5所示,其中采样周期T=1s,试判断k=8时系统的稳定性,并求使系统稳定的k值

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第8题
一个RLC串联电路,其R=11Ω,L=0.015H,C=70μF。如外加电压u(t)=[11+141.4cos(1000t)-35.4sin(2000t)]V试求电路中的电流i(t)和电路消耗的功率。
一个RLC串联电路,其R=11Ω,L=0.015H,C=70μF。如外加电压u(t)=[11+141.4cos(1000t)-35.4sin(2000t)]V试求电路中的电流i(t)和电路消耗的功率。

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第9题
一台他励直流电动机,PN=30kW,UN=220V,IN=158.5A,nN=1000r/min,Ra=0.1Ω,在
额定负载转矩下,TL=0.8TN ,试求:(1)电抠外加电压降到180V时电动机的稳定转速;(2)磁通减弱到Ф=0.8ФN时电动机的稳定转速。

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第10题
把含As2S11.5kg.m-3的溶胶先稀释10000倍,再放在超显微镜下观察,在直径和深度各位0.04mm的视野内数得光点的数目平均为4.1个,设粒子为球形,其密度为52x103kgm-3试求粒子的直径和胶团量。

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