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A.电场线上每点的切线方向就是该点的电场强度方向
B.沿电场线方向，场强越来越强
C.电场线越密的地方同一电荷受的电场力就越大
D.顺着电场线移动电荷，电荷受电场力大小一定不变
A.电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时满足欧姆定律
B.电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，偏离线性关系
C.电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，严重偏离欧姆定律
D.电场较弱时，载流子的漂移速度与电场强度基本呈线性关系，此时偏离欧姆定律
E.电场较强时，载流子的漂移速度随电场增强而增大的速度变慢，满足欧姆定律
F.电场很强时，载流子的漂移速度与电场强度无关，达到饱和状态，复合欧姆定律
A.GCA成立条件是沿沟道方向（电流前进方向）电场强度远小于栅感应电场（半导体表面电场）
B.强反型时可以用GCA，但亚阈值时不能用GCA
C.用了GCA后，反型电荷面浓度与沟道中位置无关
D.用了GCA后，可以把二维问题转化为一维
A.AB两点间电势差为EdAB
B.BC两点间电势差为EdBC
C.AC两点间电势差为E/dAC
D.两板间电势差为E/d
A.如果通过高斯面的电通量不为零，则高斯面内必有净电荷
B.如果通过高斯面的电通量为零，则高斯面内必无电荷
C.如果高斯面内无电荷，则高斯面上电场强度必处处为零
D.如果高斯面上电场强度处处不为零，则高斯面内必有电荷
为真空介电常数。求rotE。
