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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

I型超晶格是指？（)

A.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，这种结构的电子势阱和空穴势阱都位于窄带材料中

B.一种材料的导带底和价带顶均分别低于另一种材料的导带底和价带顶，电子势阱和空穴势阱分别位于两种材料中，电子与空穴在空间上是分离的

C.一种材料的导带底与另一种材料的价带顶有一部分重叠，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

D.窄带材料的导带底和价带顶均位于宽带材料的禁带中，电子势阱和空穴势阱不在同一种材料中

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第1题

高新技术为技术创新带来了新的生长点，对此以下哪一论述是错误的。（)

A.基因工程、干细胞等生物高新技术是生命科学、医学等领域的的创新热点，善加应用可以带来巨大的社会效益和经济效益;

B.纳米材料一般是指三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围的超精细材料;

C.热核聚变是一种先进的高温材料制造技术，具有节能、环保、高效等优点;

D.“大数据”、“云计算”、“互联网+”等在信息高新技术领域的创新极大地推动了信息化和智能化的发展。

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第2题

男，68岁。排便习惯改变3个月，便中带血1周，查体：浅表淋巴结未触及肿大，腹平软，未触及包块，移动性浊音(-)，肠鸣音正常。直肠指诊：直肠前壁距肛缘4cm菜花型肿物，侵及直肠1/4周径，肿物直径2cm，指套染血。为明确诊断及选择治疗方式，最佳的辅助检查是()。

A.腹部MRI

B.腹部CT

C.腹部B超

D.直肠镜

E.结肠镜

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第3题

以下不属于经典的MI超急性损伤期心电图特征的是（)

A.ST段上斜型抬高

B.ST-T电交替

C.此期出现梗死型Q波之后

D.缺血区导联上T波高耸

E.QRS时限延长至0.12s

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第4题

半导体中同时存在电子和空穴的根本原因是晶格的热振动使电子不断发生从导带到价带的热跃迁。（)

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第5题

2020年11月5日，实现了高值医用耗材集中带量采购改革破冰，其中首个采购品种是()

2020年11月5日，实现了高值医用耗材集中带量采购改革破冰，其中首个采购品种是（)

A.冠脉支架

B.关节假体

C.导丝

D.止血材料

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第6题

倒水裂隙带是指开采煤层上方一定范围内的岩层发生垮落和断裂，产生裂缝，且具有导水性的岩层范围（）

A．对

B．错

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第7题

裂解炉设置超高压蒸汽高温联锁，主要是为了防止（）。

A.材料强度下降

B.汽包超压

C.超高压蒸汽带水

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第8题

1 0 ．硬盘带引导型病毒，当用硬盘启动系统时，W i n d o w s 一定可以正确启动，而不受病毒的危害。

()

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第9题

在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。（)

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第10题

I型集中器带交采时工作额定电压通常可为（)。

A.110V/220V

B.57.7V/110V

C.57.7V/220V

D.220V/380V

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